让汪莱安排多组人员分头去攻关这些技术。

首先提出步进式光刻机的设计逻辑，提出微缩光刻的技术方向。

原有的光刻工艺中，物理机械手段直接生产的电路板的母版，其精度是有其极限同时也相对不容易提升的。

但是可以通过曲面透镜投影缩放的方式，照着大模板来生产更小的芯片。

要求光学厂商配合研发更高精度的镜头。

然后直接提出浸润式光刻技术的逻辑，让工匠从一开始就直接去走浸润式光刻的方向。

按照光刻机的逻辑，光源的波长越短，就能够生产出制程越小的芯片。

但是又不能无限短，最短的x射线会直接穿过物体，导致无法通过透镜和反射来缩放图纸。

只能在工艺水平大幅度提升后，用在少数有特殊需求的半导体产品上。

常规光源的升级过程，就是不断地寻找无限接近x射线，但是又不能出现x射线现象的光源的过程。

最早的光刻机光源是可见的蓝光，波长是450纳米，实现了微米级的工艺。

在微缩光刻时代，迅速转入不可见的紫外光时代。

波长降低到了365纳米，实现了800纳米到280纳米的工艺。

之后很长的一段时间内，就是在紫外光的范围内，持续不断地缩短波长。

直到波长为193纳米的节点的时候，已经可以用来生产280纳米到65纳米制程芯片了。

如果按照这个方向继续下去，本来应该去寻找波长157纳米的光源，开始生产45纳米及以下的芯片。

但是当时的光源开发公司，在研制波长157纳米的光源时遇到了困难，或者说是瓶颈。

当时的光刻机产业的领头羊尼康在157纳米光源上头铁了很久。

而台积电的林本坚发现了另外一个方向。

光进入水中时会发生折射，光源的波长也会有相应的缩短。

所以193纳米的光穿过一层水之后，就有了等效于134纳米波长光源的效果。

于是，台积电和阿斯麦尔合作，以林本坚提出的方向为目标，研发出了浸润式光刻机。

意思就是泡在水里面光刻。

继续使用193纳米的光源，推动芯片制程从45纳米继续上升，最终的极限做到了7纳米工艺。

直到深入5纳米制程范围的时候，193纳米的深紫外光源才彻底走到了尽头。

半导体产业不得不尝试更换波长135纳米的极紫外光源。

所以对于大明而言，当然可以尽快用攻关浸润式光刻技术，但是在新光源的研究上也要不断努力。

另外，前世所有用过的已经成功的路，当然是已经确定可行的路。

前世没有采用的道路，也未必是不可行的。

以现在大明的资源，对于后世出现过其他方案，也可以让工部有选择尝试。

说不定能够实现比原有道路更好的效果呢？

比如说“同步辐射光源”设施，本身作为一个其他方面的科研设施，其原理使得其能放出各种波长的光。

包括最为接近x光的“极紫外光”。

实际上，历史上早期的光刻机技术验证，也曾经用过同步辐射光源去做研究和验证。

但是同步辐射光源的性质注定了难以商业化。

大明这边也可以尝试，建设大规模的同步辐射光源，在它的基础和原理上讨论，各种光源和光刻的可行性。

同时它也可以继续作为科研设备持续运转。

还有其他的更加具体的细节，比如提升性能的铜导线工艺，提升效率的双件工作台设计等等。

朱靖垣把自己能想到的都依次列举出来，作为自己的不确定的设想。

让工部和半导体司安排人员去做攻关和验证。

在这样的基础上，朱靖垣对工部、半导体司、工匠们提出了更加具体的研发目标。

首先是最重要和最核心的工艺制程和中央处理器。

两年之内完成一微米工艺的普及和量产，同时完成下一代的通用微处理器的开发。

新处理的性能目标是每秒计算次数不低于一千万次。

最好是达到每秒五千万次，也就是接近于386甚至486，或者是第一代ps游戏机的水平。